士兰微SiC功率器件生产线初步通线，首个SiC器件芯片投片成功！

　　厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，是由杭州士兰微电子股份有限公司与与厦门半导体投资集团有限公司共同投资成立的，项目总投资约220亿元，规划建设两条12吋特色工艺晶圆生产线及一条化合物半导体器件生产线，10月24日，士兰微发布公告称，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。

　　

　　士兰微电子是国内集芯片设计、芯片制造、芯片封装为一体的IDM公司之一，在功率器件方面，公司的超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分离栅MOSFET等分立器件的技术平台研发进展较快，产品性能达到业内领先的水平。分立器件和大功率模块在白电、工业控制、新能源汽车、光伏等市场均有突破。

　　

　　士兰明镓已于2022年7月正式启动化合物半导体第二期建设项目，即“SiC功率器件生产线建设项目”。本项目计划投资15亿元，建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能，其中SiC-MOSFET芯片12万片/年、SiC-SBD芯片2.4万片/年。

　　

　　士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。目前公司已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。

　　

　　SiC作为第三代半导体材料的典型代表，具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体器件材料，应用于新能源汽车、光伏、工控等领域，在电力电子设备中实现对电能的高效管理。

　　

　　在新能源汽车领域，SiC功率半导体主要用于驱动和控制电机的逆变器、车载DC/DC转换器、车载充电器（OBC）等，以逆变器为例，碳化硅模块代替硅基IGBT后，逆变器输出功率可增至硅基系统的2.5倍，体积缩小1.5倍，功率密度为原有3.6倍，最终实现系统成本整体降低，车载充电器和充电桩使用SiC器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实现充电系统高效化、小型化和高可靠性。