充电器芯片阿里巴巴店铺 开关电源芯片关注摩臣5 电机驱动芯片收藏摩臣5 欢迎进入电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管、桥堆等电子元器件代理商--摩臣5平台官网
高级搜索

搜索一

搜索二

充电管理IC方案

推荐产品

联系我们

开关电源芯片
珠海市摩臣5平台科技有限公司

电话:0756-88235344

手机:19902445247

邮箱:[email protected]

地址:珠海市斗门区高新区15栋

prevnext

600v 60a igbt 绝缘栅双极型晶体管SGT60N60FD1P7参数

所属分类:IGBT
品牌:士兰微
型号:SGT60N60FD1P7
封装:T0-247-3L
功率:600V
电流:60A
订购热线:0756-88235344
  600v 60a igbt 绝缘栅双极型晶体管,是指该IGBT可以在不损坏或失效的情况下处理最大电压为600V和最大电流为60A的电路,SGT60N60FD1P7 600v 60a igbt结合了普通双极型晶体管的开关能力和MOSFET的控制能力,并且具有较低的开态电阻和较高的耐压能力,常用于太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS和PFC等应用场合,可以实现低导通和开关损耗。
  
  SGT60N60FD1P7特点  
  ■ 低导通损耗  
  ■ 快开关速度  
  ■ 高输入阻抗  
  ■ 20A,600V,VCE(sat)(典型值)=2.2V@IC=60A
  
  600v 60a igbt SGT60N60FD1P7极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃)
参数 符号 参数范围 单位
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±20 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 120 A
Tc=100℃ 60
集电极脉冲电流 IcM 180 A
耗散功率(Tc=25℃) PD 321 W
工作结温范围 TJ -55~+150
贮存温度范围 Tstg -55~+150
  
  600v 60a igbt 绝缘栅双极型晶体管SGT60N60FD1P7是一种具有高电压、高电流功率开关能力的半导体器件,采用T0-247-3L封装,饱和压降VCE(sat)(典型值)=2.2V@IC=60A,广泛用于UPS,SMPS以及PFC等领域,更多产品手册等相关资料向士兰微IGBT代理摩臣5平台申请。>>
摩臣5注册中心 关于摩臣5 联系我们