充电器芯片阿里巴巴店铺 开关电源芯片关注摩臣5 电机驱动芯片收藏摩臣5 欢迎进入电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管、桥堆等电子元器件代理商--摩臣5平台官网
高级搜索

搜索一

搜索二

充电管理IC方案

推荐产品

联系我们

开关电源芯片
珠海市摩臣5平台科技有限公司

电话:0756-88235344

手机:19902445247

邮箱:[email protected]

地址:珠海市斗门区高新区15栋

prevnext

SGT20T60SD1F IGBT管600V 20A TO220F的参数

所属分类:IGBT
品牌:士兰微
型号:SGT20T60SD1F
封装:T0-220F-3L
功率:600V
电流:20A
订购热线:0756-88235344
  SGT20T60SD1F是一款带有反并联二极管的IGBT,其额定电压为600V,额定电流为20A,常见于高压、高功率的电力控制系统中,比如驱动工业电机、电子电源等。SGT20T60SD1F IGBT管600V具有高开关速度、低开关损耗,控制电路简单、可靠性高等优点。
  
  SGT20T60SD1F IGBT管600V特点  
  ■ 低导通损耗  
  ■ 高输入阻抗  
  ■ 快开关速度  
  ■ 20A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=20A
  
  SGT20T60SD1F极限参数详解(除非特殊说明,Tc=25℃)
参数 符号 参数范围 单位
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±20 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 40 A
Tc=100℃ 20
集电极脉冲电流 IcM 60 A
二极管电流  Tc=25℃
Tc=100℃
IF 16  
8 A
短路维持时间
(VGE=15V,Vcc=300V)
TSC 10 us
耗散功率(Tc=25℃) PD 46 W
工作结温范围 TJ -55~+150
贮存温度范围 Tstg -55~+150
  
  IGBT管600V 20A SGT20T60SD1F采用T0-220F-3L封装,是士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,典型应用于电机控制、交流变频器、逆变器、UPS系统和其他高功率应用中,提高系统的性能和效率。
摩臣5注册中心 关于摩臣5 联系我们