30W pd快充方案PN8165+PN8307H(A)

　　芯朋微30W PD快充方案：PN8165+PN8307H(A)，搭配行业最精简的SOT23-3 Boost芯片AP2080，轻松实现输出功率20W向30W的快速升级迭代。并且与20W PD快充产品PN8161+PN8307全兼容！

　　

　　一、方案特征　　

　　■ 小尺寸设计：38mm(L)X36mm(W )X18mm(H)　　

　　■ 输出规格 5V3A,9V3A,15V2A,20V1.5A,3.3-11V/3A　　

　　■ 满足CoC V5 Tier2 能效规范　　

　　■ 待机功耗小于75mW　　

　　■ 最大输出电压纹波小于120mVP_P　　

　　■ 支持PD3.0协议　　

　　■ 整个方案包含：PN8165，PN8307H(A)和AP2080

　　

　　二、封装及脚位配置

　　

　　PN8165主要特性　　

　　■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET　　

　　■ 准谐振工作　　

　　■ 最高开关频率125kHz　　

　　■ 外围精简，无需启动电阻及CS检测电阻　　

　　■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW　　

　　■ 改善EM I的频率调制技术优异　　

　　■ 全面的保护功能(OVP,UVP,OTP,CS短路保护等）

　　

　　PN8307H主要特性　　

　　■ 集成MOS及SR控制于一体　　

　　■ DFN 5x6封装　　

　　■ 适应多工作模式：QR/DCM　　

　　■ SRMOS导通阻抗：100V/10m

　　

　　AP2080主要特性　　

　　■ 应用于VDD辅助供电　　

　　■ 具有Boost功能，可实现：低VDD且宽输出的需求，有利于能效设计

　　

　　三、DEMO 实物图

　　

　　四、方案典型应用图

　　

　　五、待机功耗

　　

　　六、输出规格及效率

　　

　　七、方案亮点　　

　　1、内置高压启动和电流采样的高精简主控：PN8165集成650V0.55Ω智能MOSFET，无需外部启动电阻和CS电阻，方便布线，并提升市电低压下的转换效率。　　

　　2、100V全集成同步整流：PN8307H(A)内置100V/10mΩ智能MOSFET，自适应死区控制提高MOSFET Rdson利用率，显著降低温升，超高性价比。　　

　　3、兆赫兹SOT23-3升压供电：AP2080采用兆赫兹开关频率的COT控制技术，将储能电感体积降至0805封装，任何工况下PN8165供电范围控制在11~35V，显著提升15~20V输出电压下的转换效率。　　

　　4、EMC性能卓越：采用QR控制方式+自适应抖频+智能功率器件等组合创新技术，改善系统EMC性能，传导辐射裕量轻松大于6dB。　　

　　5、保护功能丰富：方案具有市电欠压保护、输出过压保护、原副边防直通保护、过载保护、过温保护等，为充电器安全运行保驾护航。　　

　　6、全系列脚位兼容：PN816x/PN8307x全系列芯片脚位相同，SOP8/PDFN两种封装灵活选择，便于电源产品系列化设计及安规认证。

　　

　　PN8165+PN8307H(A）30W pd快充方案5V0A时230V输入的待机功耗在50mW左右，满足75mW能效标准，5V9V12V15V平均效率相对于能效标准有2.5%以上裕量，20V输出下平均效率相对于能效标准有2%以上的裕量，更多30w快充设计方案特点、应用原理图、变压器设计、测试数据及应用要点请向我们申请。>>