升压芯片与MOS管之间为何添加电阻？

    关于电阻在电路当中的使用，网络上有很多相关资料可供查阅。但这些资料针对的情况较少，无法满足设计者们在电路设计过程中遇到的这样或者那样的问题。在本文当中摩臣5平台小编就将为大家介绍一个电阻在升压芯片电路中的位置问题。

 

    在本例中，摩臣5平台小编带领大家来分析在某些电路中如果想要pwm波正常，为什么需要在mos管G级与DC-DC升压芯片之间要加个电阻。

 

    很多电路在驱动mos管时候，都会在栅极上串一个很小的电阻，从几欧姆到十几欧姆不等。网络上的资料对这种做法解释不一，有的说是限制电流、保证开关速度，有的说是驱动互补mos管时防止直通，众说纷纭，那么真相究竟是怎样的呢？

 

    简单来说，MOSFET的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振。因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡，电阻有额定功率，当超过其额定功率时，电阻就会烧毁。之所以要求额定功率值是因为给MOS管栅极电容充电时，充电电流可能会很大，如果电阻额定功率不够，同样可能被烧掉。

 

   另一方面，电阻的这种现象也与EMI的设计有所关联。减缓驱动波形上升速度，假设驱动方波上升时间为t，则方波频域上高频时转折频率为1/（pai*t），t越小则高频成分越高。加上一个小电阻，可以减小Cgs的充电速度，减小驱动波形的上升速度。减小dv/dt为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小集电极的电压尖峰，应在栅极串上合适的电阻Rg。当Rg增大时，导通时间延长，损耗发热加剧。Rg减小时，di/dt增高，可能产生误导通，使器件损坏。应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取Rg的数值。通常在几欧至几十欧之间（在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整）。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件，建议在栅射间加入一电阻Rge，阻值为10kΩ左右。