SD8666QS功率mosfet芯片多重模式控制器

　　SD8666QS 是用于开关电源的内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式PWM+PFM 控制器。有多重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。SD8666QS功率mosfet芯片 可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。
 

　　

　　

　　一、多种控制模式　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片具有多重模式控制。在重载条件下（VFB>2V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作在CCM模式，此时为PWM 控制，固定频率55KHz，当输入电压高时，工作在DCM 模式，此时工作在QR 模式，可以减小开关损耗，最大频率限制在69KHz。随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.3V<VFB<2V），工作在QR+PFM 模式，最大限制频率开始降低直到最低频率23KHz，期间谷底开通仍然存在，可以提高转换效率。在空载和极轻负载条件下（VFB<1V），进入打嗝模式，有效地降低待机功耗。　　

　　SD8666QS 具有低压重载升频功能，输入电压低于100V 时，重载条件下，（VFB>2.4V），频率随FB 电压增加而升高，提高低压的极限输出功率。　　　

　　

　　二、抖频　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片采用抖频控制来改善EMI 性能，使得整个应用系统的设计会变得更简单。　　

　　峰值电流补偿SD8666QS 通过检测DEM 管脚在开通时流出的电流判断输入电压的高低，并将检测到的电流转换成峰值电流的补偿量。另外低压升频功能可以有效提高低输入电压时的极限输出功率，保证不同交流电压输入时极限输出功率一致性。

　　

　　三、软启动　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片内置4ms 软启动时间，以限制功率MOSFET 的DRAIN 端最大峰值电流，使其逐步提高，从而减小器件的应力，防止变压器饱和。

　　

　　四、VCC 过压保护　　

　　当VCC 电压超过过压保护点26V 时，触发VCC 过压保护，此时功率MOSFET 关断，系统将自动重启。
 

　　

　　VCC 过压保护的波形图　　

　　当输出发生过载时， FB 电压会升高，当升到FB 过载保护点4.2V 时，且再经过过载保护延时90ms 后，功率MOSFET关断，VCC 电压开始下降；当VCC 电压降到关断电压8V 时，电路重新启动。　
 

　

　　输出过载保护的波形图

　　

　　五、前沿消隐　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片内置的前沿消隐电路可以防止功率MOSFET 开通时产生的电流尖刺造成的误关断，这样外围RC 滤波电路可以省去。在前沿消隐时间内，脉宽调制比较器和峰值限流比较器是不工作的，而功率MOSFET 在这段时间内是保持导通状态的，所以功率MOSFET 开启的最小时间就是前沿消隐的时间TLEB。
 

　　

　　六、逐周期峰值电流限制　　

　　在每一个周期，峰值电流值由比较器的比较点决定，该电流值不会超过峰值电流限流值，保证功率MOSFET 上的电流不会超过额定电流值。当电流达到峰值电流以后，输出功率就不能再变大，从而限制了最大的输出功率。如果负载过重，会导致输出电压变低，反馈到FB 端，导致FB 电压升高，发生输出过载保护。　　

　　

　　七、输出二极管短路保护　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片通过检测CS 端实现输出二极管短路保护功能。由于输出二极管短路会导致原边瞬间过流，当电流采样电阻上的CS 电压连续4 个周期都大于1V 时，就判定输出二极管短路。此时功率MOSFET 关断，且进入锁定状态。当AC 输入电压断开，VCC 电压下降至锁定点5V 时，才能解除锁定状态；当AC 输入电压重新上电后，系统将重新启动。

　　

　　八、AC 输入电压欠压保护　　

　　在功率MOSFET 导通时，辅助绕组电压为负，DEM 管脚钳位为0V。SD8666QS 通过设定外部检测电阻，检测DEM管脚流出的电流。当流出电流小于95A 时，且时间超过Brown out 抗干扰时间时，进入AC 输入电压欠压保护状态，功率MOSFET 截止，系统将自动重启。当检测到电流大于110A 时，则恢复正常工作。　　

　　

　　九、可调节的输出电压过压保护　　

　　SD8666QS 的DEM 管脚在开关截止且副边续流时期，作为输出电压检测管脚。当DEM 管脚电压超过OVP 电压阈值2.5V 时，进入输出电压过压保护状态，功率MOSFET 截止，系统将自动重启。

　　

　　十、过温保护　　

　　当温度过高时，为了保护电路不会损坏，电路会触发过温保护，此时功率MOSFET 关断，且该状态一直保持，直到冷却后系统将自动重启。