PN8036M宽输出范围非隔离ac/dc电源芯片
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PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源,其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET,内置MOSFET具有650V高雪崩能力,实现系统快速启动、超低待机功能,并具有过流、欠压、过温保护,PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性,下面跟随摩臣5平台芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。
1. PN8036M高压启动:在启动阶段,内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电;当VDD电压达到VDDON,PN8036M芯片开始工作,高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后,输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量,供芯片继续工作。
2. PN8036M恒压工作模式:芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样,VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF,芯片开启集成的高压功率管,对储能电感充电,当电感电流达到内部基准电流IPEAK,芯片关闭集成的高压功率管,由系统二极管对储能电感续流。图2-1和图2-2分别给出连续模式(CCM)和非连续模式(DCM)下系统关键节点工作波形。同时芯片集成负载补偿功能,可以提高恒压精度,实现较好的负载调整率。
实际应用中VDD对输出的电压采样还受到隔离二极管影响,因此芯片VDD-REF设置为12.3V(TYP),以抵消隔离二极管上的压降。
3.PN8036PFM 调制:芯片工作在PFM模式,同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低,芯片开关周期每增大1us,Ipeak降低约10mA。由于芯片内置采样,最大Ipeak固定,当输出电压和输出电流固定时,电感感量是唯一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH (EE-13), 如果感量过小,系统带载能力会偏小,如果感量过大,容易造成电感饱和,影响可靠性。
4.PN8036M软启动:为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式,带来较大电流尖峰,PN8036设置软启动功能,通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间(300ns),以降低LEB时间内能量大小,避免系统启动时的高电流尖峰。
5. PN8036M智能保护功能:
PN8036M非隔离ac/dc电源芯片集成全面的保护功能,包括:过温保护、VDD欠压保护功能,并且这些保护具有自恢复模式。
过温保护------当芯片结温超过150℃,芯片进入过温保护状态,输出关闭,当芯片结温低于120度,芯片重新启动。
VDD欠压保护------当芯片VDD电压低于VDDoff,芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过VDD电容调整,VDD电容越大,自恢复时间越长。
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